1. 提升SoC效能的需求：隨著高階手機及HPC晶片應用趨勢，SoC需提供更高效能，但可能伴隨功耗增加、電壓不穩情況。客戶對電容規格提高，以優化產品表現。
2. 新一代S-SiCapTM Gen3特點：愛普*的新一代矽電容S-SiCapTM Gen3超越傳統電容，具有更高的電容密度、更薄的特性，並可應用於多種場景，配合先進封裝製程，大幅提升SoC效能。
3. 技術優勢：S-SiCapTM採用先進的堆疊式電容技術，相較於傳統深溝式電容技術，具有更高的電容密度和更小更薄的體積，同時具有出色的溫度和電壓穩定性。
4. 高性能規格：S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm²，操作電壓最高可支援1.2V，同時具有極低的等效串聯電感和等效串聯電阻，提供優異的穩壓能力。
5. 多樣整合應用：S-SiCapTM具有超薄、客製化尺寸的特點，在先進封裝製程中能滿足多樣整合應用，並與SoC更接近，例如接腳側矽電容、封裝基板內埋矽電容、2.5D封裝應用矽電容、矽電容中介層等。
結論： 愛普*的S-SiCapTM Gen3通過客戶驗證，具有高度的電容密度、超薄設計以及優異的穩壓能力，為提升SoC效能提供了強大的支持。
