南亞科(2408) 率先突破HBM!開啟下一代AI終端記憶體方案!
【一：AI推論崛起，HBM非唯一解方】 隨著AI產業從大規模「雲端模型訓練」邁向「地端推論」，大量運算將轉移至AI PC、智慧手機與邊緣裝置。南亞科資深副總吳志祥指出，雖然高頻寬記憶體（HBM）在大型資料中心訓練中不可或缺，但其功耗及I/O架構限制，未必適合重視能源效率的邊緣推論場景。未來記憶體市場將朝向多元客製化發展，以因應使用者即時互動所產生的龐大資料傳輸需求。
【二：投入3D IC堆疊，打造次世代記憶體】 為搶攻AI推論商機，南亞科正積極投入客製化高I/O DRAM（UWIO DRAM），並結合Wafer-on-Wafer（WoW）等3D IC堆疊技術。此架構能將DRAM直接堆疊於CPU或ASIC邏輯晶片上，大幅縮短資料傳輸距離。與HBM相比，不僅記憶體頻寬可望提升5至10倍，每傳輸一個位元的能耗更可降至HBM的十分之一，成為下一代地端AI的重要記憶體方案，並將成為南亞科營運的新成長引擎。
【三：終端需求爆發與產能佈局】 AI推論時代的來臨，將帶動終端裝置記憶體容量成倍數成長；例如AI PC的主流容量正由16GB、24GB逐步向128GB邁進。在AI伺服器端，若採用新一代3D IC架構，一顆CPU周邊甚至可能搭配超過200顆高密度DRAM，用量遠超目前AI訓練平台的需求。為應對激增的市場需求，南亞科不僅規劃泰山新廠於明年投產，更持續推動製程微縮，其1C製程相較1A可降低約34%功耗，期望以低耗能與高彈性，全面迎戰AI記憶體的新戰局。
