英特爾EMIB-T良率破九成、成本低50%，強襲台積電CoWoS霸主地位!
一、英特爾EMIB-T挾成本優勢叫陣台積電 : 英特爾（Intel）先進封裝技術EMIB-T傳出重大突破，良率已突破90%，預計於2027年開始大規模量產。相較於台積電CoWoS依賴高成本的大面積矽中介層，EMIB-T採用「嵌入式矽橋」搭配多層布線，並結合矽穿孔（TSV）技術，不僅支援高頻寬記憶體（HBM）與低延遲的die-to-die連接，其製造成本更僅需台積電CoWoS的一半。
二、聯發科率先啟動「雙軌策略」: 隨著AI算力需求攀升，先進封裝產能持續吃緊。為降低對單一供應鏈的依賴，聯發科已證實旗下AI ASIC（客製化晶片）專案將同步導入台積電CoWoS與英特爾EMIB-T技術。這種尋求「TSMC+1」的供應鏈韌性布局，讓客戶能依不同專案需求，在設計彈性、效能與成本間取得最佳平衡。除了聯發科外，博通與Meta等科技巨頭也正積極評估採用英特爾的解決方案。
三、先進封裝版圖的新競局 : 目前全球先進封裝供不應求，英特爾EMIB-T現階段的主要效益在於分擔市場溢出的龐大需求，雖不至於立刻吞食台積電的市占率，但已成功在產能缺口中精準卡位。這場封裝大戰的競爭核心，正逐漸從單純的技術規格，轉向系統級整合力與總體擁有成本的全面較量。英特爾憑藉高性價比優勢建立客戶信任，無疑為未來的半導體代工版圖增添了強大的競爭變數。
