台積電攜手ASML，升級12吋光罩，迎向微影半導體次世代製程!
【重大合作：轉向12吋光罩】
台積電與微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）於9月7日SPIE先進微影技術研討會前夕，宣布啟動重大產業合作。雙方將共同推動晶片製造技術升級，計畫將最先進的高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，由現行的6吋光罩全面轉移至更大的12吋光罩，旨在將新世代微影技術的商業價值發揮至極致，鞏固台積電在全球晶圓代工的霸主地位。
【升級動機：降本增效、突破物理限制】 隨著半導體製程步入埃米（Angstrom）世代，AI應用促使電晶體架構日益複雜，曝光所需的光罩層數急遽增加。將High NA EUV轉向12吋光罩，不僅能大幅提升晶圓廠的生產效率並降低製造成本，還能消除過去使用兩張6吋光罩曝光時所面臨的拼接限制，從而追上AI算力暴增所帶動的龐大需求。
【量產時程與極高資本門檻】 據台積電規劃，最快將於2030年起將High NA EUV導入A10等先進製程，目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年實現微影系統全面就緒與量產。然而，High NA EUV單機造價高達3.8億至4.1億美元（約新台幣120億元），較前代設備翻倍，成為史上最昂貴的半導體設備。高昂的成本意味著唯有具備雄厚資本與技術底蘊的頂尖企業，才能跨越門檻實現規模化量產。
【競爭態勢：同業緊追在後】 面對次世代技術的轉型，全球半導體巨頭皆積極備戰。英特爾晶圓代工部門已表示將加速應用High NA EUV以支援先進製程；三星則計畫於2028年前，率先將該技術導入DRAM量產，藉此延續記憶體的微縮藍圖。三大廠的動作印證了High NA EUV與光罩技術的升級，已成為全球半導體產業不可迴避的終極戰場。
